低压MOS GT/SI2300 MOS管 SOT-23封装 20V 4.2A_东莞市雷成电子有限公司

PDF资料：

询价

供应低压MOS GT/SI2300 MOS管 SOT-23封装 20V 4.2A SI2300 SI2302 SI2304 SI2306 SI2312 MOS管 N沟道 30V 3.5A

产品详细参数：

20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N-沟道增强型MOS

VDS= 20V

RDS(ON), , = 38mΩ

RDS(ON), , = 30mΩ

Features特性

Advanced trench process technology的加工技术

High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance极低的导通电阻高密度的单元设计

High Power and Current handing capability大功率、大电流

Ideal for Li ion battery pack applications理想的锂电池应用

SOT-23封装系列： 3416等等

SOP-8封装系列：等等

DC-DC系列：等

东莞市雷成电子有限公司